随着咱们谋求更强盛 、文读妄想更小型的懂碳电源处置妄想,碳化硅 (SiC) 等宽禁带 (WBG) 质料变患上越来越盛行,化硅画特意是热规在一些具备挑战性的运用规模,如汽车驱动零星 、文读妄想直流快捷充电、懂碳储能电站、化硅画不不断电源以及太阳能发电 。热规
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这些运用有一点颇为相似,文读妄想它们都需要逆变器(图 1) 。懂碳它们还需要松散且高能效的化硅画轻量级处置妄想 。就汽车而言 ,热规轻量化是文读妄想为了削减续航里程,而在太阳能运用中 ,懂碳这是化硅画为了限度太阳能配置装备部署在屋顶上的份量 。
图 1.典型的 EV 能源总成,其中展现了逆变器半导体斲丧
抉择逆变器功能的主要因素之一是所运用的半导体器件(IGBT / MOSFET)。这些器件展现出两种主要规范的斲丧:导通斲丧以及开关斲丧。导通斲丧与激进形态下的导通电阻 (RDS(ON)) 成 正比 ,合计措施为漏极电流 (ID) 与漏源电压 (VDS) 的乘积。
将 SiC MOSFET 的 VDS 特色与相似 Si IGBT 的特色妨碍比力 ,可能审核到,对于给定电 流 ,SiC 器件的 VDS 个别较低。还值患上留意的是,与 IGBT 差距,SiC MOSFET 中的 VDS 与 ID成正比,这象征着它在低电流下的导通斲丧会清晰飞腾 。这在高功率运用(好比汽车以及太阳能)中颇为紧张,由于它象征着在这些运用中 ,逆变器在其使命性命周期的大部份光阴处于小功率工 况,功能会有清晰后退,斲丧更低 。
图 2.Si IGBT 以及 SiC MOSFET 的 VDS 比力驱动斲丧与开关器件所需的栅极电荷 (Qg) 成正比。这是每一个开关周期都需要的 ,使其与开关频率成正比 ,而且 Si MOSFET 比 SiC 器件更大。妄想职员热衷于后退开关频率以减小磁性元件的尺寸 、份量以及老本 ,这象征着运用 SiC 器件会带来清晰优势。
热规画影响
电源零星中的所有斲丧都市酿成热量 ,这会影响元件密度,从而削减终端运用的尺寸。发烧组件不光会飞腾其自己的外部温度,还会飞腾全部运用的情景温度 。为确保温升不会限度运行致使导致组件倾向 ,需要在妄想中妨碍热规画 。
SiC MOSFET 可能在比硅器件更高的频率以及温度下运行 。由于它们可能接受更高的使命温度,因此削减了对于热规画的需要 ,可能应承器件自己发生更大的热量。这象征着,将基于硅的妄想与等效的基于 SiC 的妄想妨碍比力时 ,热规画要求要低良多 ,由于 SiC 零星发生的斲丧更低 ,而且可能在更高的温度下运行。
经由比力 ,一个典型的 SiC 二极管在 80kHz 下使命时,斲丧比划一硅二极管低 73%。因此 , 在太阳能运用以及电动汽车的大功率逆变器中,SiC 器件的功能优势将对于飞腾电力零星的热规画需 求发生颇为清晰的影响,可能飞腾 80% 或者更多。
基于SiC的电源零星的总老本
尽管 SiC 器件投入实际运用已经有一段光阴了 ,但人们以为基于 SiC 的妄想最终老本将高于硅基妄想 ,因此在某些方面缓解了 SiC 器件的接管速率。可是,若是直接比力硅基器件以及SiC 器件的相对于老本,而不思考每一种技术对于部份零星老本的影响,可能会使妄想职员患上侵蚀误的论断